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Research supported by the Spanish MINECO through Grants MAT2017-88693-R, MAT2014-57915-R, FIS2016-80434-P (AEI/FEDER, EU), BES-2015-071316, the Ramon y Cajal programme RYC-2011-09345, the Fundacion Ramon Areces and the Maria de Maeztu Programme for Units of Excellence in R&D (MDM-2014-0377), as well as from the Comunidad Autonoma de Madrid (CAM) MAD2D-CM Program (S2013/MIT-3007) and the European Union Seventh Framework Programme under grant agreement No. 604391 Graphene Flagship. JJP acknowledges Fulbright Fellowship for Sabbatical leave at University of Texas at Austin, EEUU. We acknowledge the computer resources and assistance provided by the Centro de Computacion Cientifica of the Universidad Autonoma de Madrid.

Análisis de autorías institucional

Maeso, DavidAutor o CoautorSantos, HernanAutor o CoautorAgrait, NicolasAutor o CoautorPalacios, Juan JoseAutor o CoautorPrada, ElsaAutor o CoautorRubio-Bollinger, GabinoAutor (correspondencia)

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16 de abril de 2019
Publicaciones
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Artículo
Green

Strong modulation of optical properties in rippled 2D GaSe via strain engineering

Publicado en:NANOTECHNOLOGY. 30 (24): 24LT01- - 2019-06-14 30(24), DOI: 10.1088/1361-6528/ab0bc1

Autores: Maeso, David; Pakdel, Sahar; Santos, Hernan; Agrait, Nicolas; Palacios, Juan Jose; Prada, Elsa; Rubio-Bollinger, Gabino

Afiliaciones

IMDEA Nanociencia, E-28049 Madrid, Spain - Autor o Coautor
Univ Autonoma Madrid, Condensed Matter Phys Ctr IFIMAC, E-28049 Madrid, Spain - Autor o Coautor
Univ Autonoma Madrid, Dept Fis Mat Condensada, E-28049 Madrid, Spain - Autor o Coautor
Univ Autonoma Madrid, Inst Nicolas Cabrera, E-28049 Madrid, Spain - Autor o Coautor
Univ Tehran, Univ Coll Engn, Sch Elect & Comp Engn, Tehran 14395515, Iran - Autor o Coautor
Univ Texas Austin, Dept Phys, Austin, TX 78712 USA - Autor o Coautor
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Resumen

Few-layer GaSe is one of the latest additions to the family of two-dimensional semiconducting crystals whose properties under strain are still relatively unexplored. Here, we study rippled nanosheets that exhibit a periodic compressive and tensile strain of up to 5%. The strain profile modifies the local optoelectronic properties of the alternating compressive and tensile regions, which translates into a remarkable shift of the optical absorption band-edge of up to 1.2 eV between crests and valleys. Our experimental observations are supported by theoretical results from density functional theory calculations performed for monolayers and multilayers ( up to seven layers) under tensile and compressive strain. This large band gap tunability can be explained through a combined analysis of the elastic response of Ga atoms to strain and the symmetry of the wave functions.

Palabras clave

Band gap modulationBandgapEnergyGallium selenide (gase)GapInseMonolayerNanosheetsOptical absorptionOxidationStrain engineeringTunabilityTwo-dimensional materialsVersatile

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista NANOTECHNOLOGY debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia Scopus (SJR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2019, se encontraba en la posición , consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Electrical and Electronic Engineering.

Desde una perspectiva relativa, y atendiendo al indicador del impacto normalizado calculado a partir del Field Citation Ratio (FCR) de la fuente Dimensions, arroja un valor de: 5.97, lo que indica que, de manera comparada con trabajos en la misma disciplina y en el mismo año de publicación, lo ubica como trabajo citado por encima de la media. (fuente consultada: Dimensions Aug 2025)

De manera concreta y atendiendo a las diferentes agencias de indexación, el trabajo ha acumulado, hasta la fecha 2025-08-02, el siguiente número de citas:

  • WoS: 22
  • Scopus: 20
  • Europe PMC: 1
  • Google Scholar: 25

Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2025-08-02:

  • El uso, desde el ámbito académico evidenciado por el indicador de la agencia Altmetric referido como agregaciones realizadas por el gestor bibliográfico personal Mendeley, nos da un total de: 29.
  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 29 (PlumX).

Con una intencionalidad más de divulgación y orientada a audiencias más generales podemos observar otras puntuaciones más globales como:

  • El Score total de Altmetric: 0.25.
  • El número de menciones en la red social X (antes Twitter): 1 (Altmetric).

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • El trabajo se ha enviado a una revista cuya política editorial permite la publicación en abierto Open Access.
  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: https://repositorio.uam.es/handle/10486/690155

Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Este trabajo se ha realizado con colaboración internacional, concretamente con investigadores de: Iran; United States of America.

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (Maeso Yela, David) y Último Autor (RUBIO BOLLINGER, GABINO).

el autor responsable de establecer las labores de correspondencia ha sido RUBIO BOLLINGER, GABINO.