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Díaz-Lobo AAutor o CoautorBraña, Alejandro FAutor o Coautor
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AlxIn1-xN on Si (100) Solar Cells (x = 0-0.56) deposited by RF sputtering

Publicado en:Materials. 13 (10): - 2020-01-01 13(10), DOI: 10.3390/ma13102336

Autores: Valdueza-Felip S; Blasco R; Olea J; Díaz-Lobo A; Braña AF; Naranjo FB

Afiliaciones

Univ Alcala, Photon Engn Grp, Alcala De Henares 28871, Spain - Autor o Coautor
Univ Autonoma Madrid, Elect & Semicond Grp, Dept Appl Phys, Madrid 28049, Spain - Autor o Coautor
Univ Complutense Madrid, Thin Film & Microelectron Grp, Madrid 28040, Spain - Autor o Coautor
Universidad Autónoma de Madrid - Autor o Coautor
Universidad Complutense de Madrid - Autor o Coautor
Universidad de Alcalá - Autor o Coautor
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Resumen

© 2020 by the authors. We investigate the photovoltaic performance of solar cells based on n-AlxIn1-xN(x = 0-0.56) on p-Si (100) hetero-junctions deposited by radio frequency sputtering. The AlxIn1-xN layers own an optical bandgap absorption edge tuneable from 1.73 eV to 2.56 eV within the Al content range. This increase of Al content results in more resistive layers (≈10-4-1 Ω•cm) while the residual carrier concentration drops from ~1021 to ~1019 cm-3. As a result, the top n-contact resistance varies from ≈10-1 to 1 MΩ for InN to Al0.56In0.44N-based devices, respectively. Best results are obtained for devices with 28% Al that exhibit a broad external quantum efficiency covering the full solar spectrum with a maximum of 80% at 750 nm, an open-circuit voltage of 0.39 V, a short-circuit current density of 17.1 mA/cm2 and a conversion efficiency of 2.12% under air mass 1.5 global (AM1.5G) illumination (1 sun), rendering them promising for novel low-cost III-nitride on Si photovoltaic devices. For Al contents above 28%, the electrical performance of the structures lessens due to the high top-contact resistivity.

Palabras clave
alinnsiliconsolar cellsSputtering

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista Materials debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia WoS (JCR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2020, se encontraba en la posición 17/80, consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Metallurgy & Metallurgical Engineering.

2025-05-02:

  • WoS: 3
  • Scopus: 6
  • OpenCitations: 7
Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2025-05-02:

  • El uso, desde el ámbito académico evidenciado por el indicador de la agencia Altmetric referido como agregaciones realizadas por el gestor bibliográfico personal Mendeley, nos da un total de: 9.
  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 8 (PlumX).

Con una intencionalidad más de divulgación y orientada a audiencias más generales podemos observar otras puntuaciones más globales como:

  • El Score total de Altmetric: 0.5.
  • El número de menciones en la red social X (antes Twitter): 1 (Altmetric).

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • El trabajo se ha enviado a una revista cuya política editorial permite la publicación en abierto Open Access.
  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: https://repositorio.uam.es/handle/10486/696701