Realización de dispositivos FET con puerta dieléctrica de oxinitruro de silicio para aplicaciones en circuitos de memoria.

Información del proyecto

ID: TIC95-01595

Fecha inicio

01-07-1995

Fecha fin

01-07-1998

Coordinador institucional

Financiación

14 520 000,00 Euros

(Total amount or amount awarded)

Más información en

Análisis de autorías institucional

Garrido Salas, JavierInvestigador principalMartinez Rodriguez, Angel JavierInvestigador/aHernández Muñoz, Mª JesusInvestigador/a

22 de abril de 2015

Proyectos I+D+I y Ayudas

Proyecto Competitivo

Realización de dispositivos FET con puerta dieléctrica de oxinitruro de silicio para aplicaciones en circuitos de memoria.

Investigadores/as: Hernández Muñoz, Mª Jesus (Investigador/a); Martinez Rodriguez, Angel Javier (Investigador/a); Garrido Salas, Javier (Investigador principal (IP))

Afiliaciones

UAM. Escuela Politécnica Superior. Tecnología Electrónica y de las Comunicaciones (University Department)

UAM. Facultad de Ciencias. Física Aplicada (University Department)

UAM. Escuela Politécnica Superior. Ingeniería Informática (University Department)

UAM. Programa de Doctorado en Ingeniería Informática y de Telecomunicación (Doctorate Program)

UAM. Hardware And Control Technology Laboratory (Group)

UAM. Electrónica Y Semiconductores (Group)

UAM. Instituto Universitario de Ciencia de Materiales Nicolás Cabrera (INC) (R & D Center)

UAM. Escuela Politécnica Superior. Tecnología Electrónica y de las Comunicaciones (University Department)

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Financiación

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Análisis de autorías institucional

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Realización de dispositivos FET con puerta dieléctrica de oxinitruro de silicio para aplicaciones en circuitos de memoria.

Afiliaciones

Resumen

Palabras clave

Instituciones participantes

Indicios de calidad

Agencias financiadoras

CICYT

País

Spain

Coordinador institucional

Si

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