Crecimiento por epitaxia de haces químicos de aleaciones semiconductoras III-V basadas en nitrógeno para aplicaciones optoelectrónicas en el infrarrojo

ID: MAT20000413

Fecha inicio

28-12-2000

Fecha fin

27-12-2002

Coordinador institucional

Garrido Salas, JavierInvestigador/aGarcia Carretero, Basilio JavierInvestigador principal

Proyectos I+D+I y Ayudas

Proyecto Competitivo

Investigadores/as: Garcia Carretero, Basilio Javier (Investigador principal (IP)); Garrido Salas, Javier (Investigador/a)

UAM. Escuela Politécnica Superior. Tecnología Electrónica y de las Comunicaciones (University Department)

UAM. Sin Entidad (University Department)

UAM. Facultad de Ciencias. Física Aplicada (University Department)

UAM. Programa de Doctorado en Ingeniería Informática y de Telecomunicación (Doctorate Program)

UAM. Programa de Doctorado en Materiales Avanzados y Nanotecnología (Doctorate Program)

UAM. Hardware And Control Technology Laboratory (Group)

UAM. Electrónica Y Semiconductores (Group)

UAM. Instituto Universitario de Ciencia de Materiales Nicolás Cabrera (INC) (R & D Center)

UAM. Facultad de Ciencias. Física Aplicada (University Department)

UAM. Escuela Politécnica Superior. Tecnología Electrónica y de las Comunicaciones (University Department)